I dispositivi ionotronici sono così definiti in quanto il loro comportamento da un punto di vista elettrico non si basa sugli elettroni, ma sugli ioni, da intendersi come singoli atomi o raggruppamenti di atomi che assumono una o più cariche elettriche per perdita di elettroni (ioni positivi) o per acquisizione di elettroni (ioni negativi). Le potenzialità di dispositivi di questo tipo come base per nuove tipologie di memorie sono state evidenziate dai ricercatori dell’università finlandese Aalto che hanno visualizzato con una speciale strumentazione dedicata ai fenomeni in nanoscala, come la migrazione di ioni di ossigeno all’interno di ossidi complessi determina un’alterazione uniforme e reversibile della struttura cristallina del materiale, provocando consistenti variazioni della resistenza elettrica. Questo effetto si ritiene che potrebbe essere usato per la realizzazione di memorie RAM “resistance-switching“. La migrazione dell’ossigeno è stata ottenuta applicando dei brevi impulsi di tensione a un campione di ossido complesso, materiale caratterizzato da alcune interessanti proprietà fisiche, tra cui magnetismo, ferroelettricità, superconduttività, e tutte variano in modo sensibile con lo stato di ossidazione del materiale, modificabile dalla migrazione dell’ossigeno indotta sperimentalmente dai ricercatori, con ritorno allo stato originale una volta tolta la tensione applicata. In sostanza, un effetto switch consistente e misurabile. Per ora gli esperimenti hanno riguardato solo l’aspetto della resistenza elettrica, ma sono allo studio altri test per verificare cambiamenti in altre caratteristiche elettriche che potrebbero suggerire l’uso per esempio del cambiamento di magnerismo per ottenere effetti più adeguati a uno sviluppo almeno prototipale di una nuova tipologia di memorie.
Nanodispositivi ionotronici
