Inizia la produzione di NAND 3D

tecnologiaAlcune aziende hanno iniziato una produzione di massa di memorie flash NAND da 128Gbit adottando una struttura a livelli multipli che, a detta degli analisti di settore, è destinata a soppiantare la precedente tecnologia floating-gate usata per le flash NAND 2D convenzionali. Questa nuova tecnologia (CTF, Charge-Trap-Flash) che, stando a Samsung, garantirebbe un incremento in termini di affidabilità di un fattore da 2 a 10 rispetto alle flash NAN 2D, permette l’impilamento di livelli multipli, fino a 24, anche se l’azienda non ha ancora rivelato la profondità di stacking usata nelle nuove flash 128Gbit, memorie che consentiranno di apportare una notevole innovazione in diversi campi applicativi, dalla consumer electronics ai solid-state drive, con impatto quindi su tabler e ultrabook. Da notare che queste memorie 3D presentano la stessa capacità delle flash NAND 2D da 128Gbit già presentate da Samsung nell’aprile dello scorso anno e realizzate con un processo 1X nm che implica una geometria tra 10 e 19nm. Le attuali 3D, denominate anche 128Gbit V-NAND, avrebbero una “die area”, in pratica l’area del silicio usato, che è la metà di una NAND 2D, da cui un’evidente maggior densità del chip. Questo risultato tecnologico di Samsung arriva dopo una ricerca durata circa 10 anni, periodo durante il quale l’azienda coreana ha accumulato 300 brevetti sulle memorie 3D.

LASCIA UN COMMENTO

Please enter your comment!
Please enter your name here