Per una memoria universale

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Presso la North Carolina State University i ricercatori avrebbero inventato quella che viene definita come “universal memory”, che combina la velocità delle memoria DRAM con la non volatilità e la densità delle memorie flash. La tecnologia denominata FET, ancora a livello sperimentale, si basa su double floating-gate field-effect-transistor e promette alcuni vantaggi pratici di grande valenza. Tra questi la possibilità di disalimentare le memorie che non sono usate in un certo momento, con conseguente drastico abbattimento dei consumi energetici da parte di tutte le tipologie di computer, compresi desktop e dispositivi mobile. I double floating gate utilizzano un tunneling diretto per immagazzinare le cariche che rappresentano i singoli bit, invece di una “hot electron injection” come avviene per le flash, da cui la possibilità di usare tensioni più basse. Il primo floating gate nello stack di due richiede un refresh con frequenza di circa 16 millisecondi, ma aumentando il livello di tensione i dati possono essere trasferiti al secondo floating gate che opera come una memoria flash tradizionale, garantendo una memorizzazione su lunghi periodi. I PC che utilizzeranno la tecnologia FET come main memory possono operare normalmente fino a quando non entrano in stato idle, momento in cui i dati possono essere trasferiti al secondo gate, con spegnimento della memoria senza il rischio di perdere i dati. Quando i dati servono nuovamente, il secondo gate li ricarica sul primo per le normali operazioni.

 

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